درباره ما

مرکز توسعه فناوری‌های میکرو-نانو الکترونیک با نام اختصاری فب الکترونیک، با هدف ایجاد زیرساخت‌های مناسب به منظور توسعه فناوری‌های حوزه میکرو-نانوالکترونیک احداث گردید. کلنگ شروع به ساخت این مجموعه در سال 1397 به زمین زده شد و در سال 1399 به بهره‌برداری رسید. این مجموعه با زیربنای 2500 متر مربع در چهار طبقه احداث شده است. در حال حاضر فاز اول فب الکترونیک که شامل فضای تمیز با کلاس 100، 1000 و 10000 می‌باشد، به مساحت کلی 450 متر مربع به بهره برداری رسیده است. این فب در حال حاضر قابلیت تولید در مقیاس ویفر mm 100 را دارا می‌باشد. از جمله قابلیت‌های این مرکز توانایی توسعه فناوری‌های MEMS، انواع حسگرها، نیمه رساناها، ... می‌باشد. همچنین قابلیت ارائه خدمات فنی و مهندسی تخصصی در حوزه میکرو-نانو الکترونیک و خدمات آزمایشگاهی و آنالیزی از دیگر قابلیت‌های ایجاد شده در این فب است.

موردی برای نمایش وجود ندارد.