کندوپاش فرکانس رادیویی (Radio Frequency Sputtering)

  لایه­ نشانی کندوپاش، روش فیزیکی لایه ­نشانی از فاز بخار در شرایط خلاء (PVD) است. روش کندوپاش به عنوان یکی از این روش‌ها دارای مراحل مختلفی شامل تبخیر ماده منبع، انتقال بخار از منبع به زیرلایه و تشکیل لایه نازک روی زیرلایه است. در این روش، ماده هدف که به ولتاژ منفی متصل است، نقش کاتد را دارد. با برخورد ذرات پر‌انرژی به سطح ماده هدف، اتم­‌ها یا مولکول­‌های آن از سطح جدا شده و در میدان ایجاد‌کننده پلاسما شتاب می‌گیرند. بدین ترتیب لایه‌­ای از جنس ماده هدف روی زیرلایه (آند) که به ولتاژ مثبت متصل است، انباشت می‌شود. در روش کندوپاش با فرکانس رادیویی (RF)، امکان لایه ­نشانی مواد عایق وجود دارد که برتری نسبت به نوع جریان مستقیم آن است (DC). از روش کندوپاش بطور گسترده می ­تواند در ادوات نیمرسانا به منظور لایه نشانی مواد مختلف برای ساخت مدارهای مجتمع بکار رود. همچنین ساخت شیشه­ های آنتی رفلکس برای کاربردهای اپتیکی از طریق این روش امکان­پذیر است. از آنجاییکه دمای اعمالی به زیرلایه در این روش می ­تواند کم باشد، به یک روش ایده ­آل برای لایه ­نشانی اتصالات فلزی در ترانزیستورهای لایه­ نازک تبدیل شده است.

اطلاعات فنی دستگاه

اندازه ویفر
تا 100 میلی متر
تعداد ویفر
5 عدد
مواد قابل تبخیر
Au,Cr, Ni, Ag, Al, Si3N4, SiO2
منبع
سه عدد ژنراتور 600 وات RF
دمای فرآیند
تا 300 درجه سانتی گراد
فشار نهایی
10-6×5
امکانات
سیستم زیرلایه گرافیتی حرارتی و نگهدارنده قابل چرخش