تبخیر حرارتی (thermal evaporation)

  تبخیر حرارتی روشی مرسوم برای لایه ­نشانی لایه های نازک می­ باشد. در این روش منبع ماده مورد نظر تحت خلا تبخیر می­ شود و محیط خلاء باعث می­ شود ذرات گاز بصورت مستقیم به زیرلایه برسند و در آنجا بصورت جامد متراکم شوند. این روش برای ایجاد میکروساختارها و محصولات با مقیاس ماکرو از جمله لایه­ های فلزی مورد استفاده قرار می­ گیرد. در این روش، مواد فلزی (به شکل سیم، صفحه یا ورقه) درون سرامیکی تبخیر کننده گرمایی که به آن بوته می ­گویند قرار می­گیرد و در اثر حرارت تبخیر می­ شود. در این روش به طور مرسوم فلزاتی مانند طلا، پلاتین و کربن و پالادیوم لایه ­نشانی می ­شوند.

اطلاعات فنی دستگاه

اندازه ویفر
تا 100 میلی متر
تعداد ویفر
6 عدد
مواد قابل تبخیر
Au,Cr, Ni, Ag, Al
منبع حرارتی
سه عدد
دمای فرآیند
تا 300 درجه سانتی گراد
فشار نهایی
10-6×5
امکانات
سیستم زیرلایه گرافیتی حرارتی و نگهدارنده قابل چرخش