رسوبدهی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین (LPCVD)

  رسوب­دهی شیمیایی از فاز بخار، فرآیندی است که در آن ترکیبات فرار یک ماده و گازهای دیگر برای تولید و رسوب دادن یک جامد غیرفرار به طور اتمی بر روی یک زیرلایه مناسب به کار گرفته می­ شود. روش ­های مختلف CVD برای تولید لایه ­های نازک و پوشش ­ها در ساخت ادوات مختلف بسیار پر کاربرد می ­باشد. یکی از این روش­ ها، رسوب­دهی شیمیایی از فاز بخار فشار پایین است، یعنی در فشار کمتر از اتمسفر کار می کند. LPCVD، با کیفیت بالایی، ته­نشینی را بوجود می ­آورد که در انتقال پیش ­ماده نقش مهمی دارد. فشار برای کاهش واکنش ­های ناخواسته گازی جهت یکسان­ سازی در هنگام رسوب­دهی کاهش می­ یابد.

محفظه کوره این دستگاه از جنس کوارتز می­ باشد. توسط این دستگاه انواع ساختارهای سیلیکونی را می ­توان بر روی زیرلایه مورد نظر ایجاد کرد به طوریکه کنترل دقیق فشار گاز داخل محفظه به وسیله MFC­ها و دریچه خلاء بصورت اتوماتیک قابل تنظیم است. یکی از کاربردهای این دستگاه رشد Si3N4 است که در ساخت سنسورها، ترانزیستورها و ادوات سیستم­ های میکرو/ نانو الکترومکانیک کاربرد دارد و ابتدایی­ ترین مرحله شروع ساخت است. کاربرد دیگر آن رشد پلی-سیلیکون می ­باشد که در ساخت ترانزیستورهای MOS و سلول ­های خورشیدی کاربرد دارد. نانو سیم ­های سیلیکونی با خلوص زیاد در ادوات انرژی استفاده می­ شوند که در دستگاه LPCVD نانو سیم ­های سیلیکونی، به سادگی روی زیرلایه مورد نظر رشد داده می­ شوند.

اطلاعات فنی دستگاه

قطر دهانه کوره
100 میلی متر
بیشینه میزان خلا
mtorr 0.1
گازهای مورد استفاده
SiH4, H2, NH3, N2, Ar
دمای کاری دستگاه
تا 1000 درجه سانتی­گراد
کاربردها
رشد سیلیکون نایتراید، پلی سیلیکون و نانو سیم­های سیلیکون