کوره تیوبی تحت خلاء (کوره اکسید و نفوذ)

  این کوره برای نفوذ، اکسید کردن و اکسید مرطوب طراحی شده است. ابعاد این دستگاه مناسب محیط ساخت و توسعه و تحقیق است. اکسید حرارتی مسیر ساده­ای برای پوشش دادن سیلیکون با اکسید است. اکسید در میکرودستگاه ­ها می ­­تواند برای اهداف مختلفی به عنوان مثال برای عایق سازی سطح و پر کردن داخل کانال­ های میکروفلوئیدی با دقت زیر میکرون یا ساخت میکرو کانتیلیورها ایجاد شود. بر اساس نوع اکسید، اکسید حرارتی به اکسید خشک و مرطوب تقسیم ­بندی می­ شود.


کوره اکسید

اکسید خشک حرارتی منجر به ایجاد لایه دی ­اکسید سیلیکون نازک­تری نسبت به اکسید مرطوب می ­شود و فرآیند آن بیشتر زمان می ­برد. با توجه به این محدودیت، ضخامت لایه دی اکسید سیلیکون خشک بیشتر از 300 نانو­متر نمی ­شود. در واقع تفاوت بین روش اکسید خشک و مرطوب استفاده از مولکول­ های اکسیژن بجای بخار خالص می ­باشد. اکسید مرطوب معمولا برای دسترسی به ضخامت ­های زیاد دی ­اکسید سیلیکون مورد استفاده قرار می­ گیرد.


کوره نفوذ

به منظور تنظیم رسانندگی نیمه هادی­ ها، مقدار کمی از دوپنت ­ها به مواد بالک وارد می­ شود که معمولا در مقایسه با ماده اصلی تعداد یک الکترون بیشتر یا یک الکترون کمتر دارند. دوپنت­ ها از طریق نفوذ توسط کوره نفوذ به داخل سیلیکون وارد می­ شوند. دوپینگ می ­تواند توسط گاز فسفر اکسی کلراید POCl3 انجام شود و معمولا عمل دوپینگ در دمای 900-800 درجه سانتی­ گراد حاصل می ­شود.

اطلاعات فنی دستگاه

اندازه ویفر
75 میلی متر و 100 میلی متر
عملکر ویفر
FP:+100
RD:25-50

سیستم دمایی
3-5 ناحیه
دمای کار
تا 1100 درجه سانتی گراد
منبع تغذیه
2-5 لاین با 220 ولت، 40 آمپر، 50 یا 60 هرتز
امکانات
سیستم خنک کننده ویفر


امکانات دستگاه:

کوره اکسید خشک

کوره اکسید مرطوب

کوره دوپ فسفر

کوره دوپ بور