زدایش یونی فعال (RIE)

  زدایش یونی فعال عمیق (Deep Reactive Ion Etching ) یک نوع روش اچینگ همسانگرد می­باشد که با هدف ایجاد ساختارهای خیلی عمیق و ابعاد نسبتا زیاد مورد استفاده قرار می گیرد. گرچه روش استاندارد زدایش یونی می­تواند مورد استفاده قرار گیرد، اما غالبا ناکافی هستند، بنابراین چندین تغییر برای کاربردهای خاص ایجاد شده است. یک گونه بسیار مرسوم، فرآیند بوش است که عمدتا برای اچینگ زیرلایه سیلیکونی انجام می­شود. همچنین امکان استفاده از اچینگ برودتی برای ایجاد ابعاد زیاد اچ در سیلیکون، نیمه هادی­های ترکیبی و برخی از پلیمر­ها را دارد. برای ساخت سیستم­های میکرو الکترومکانیکی که به این امکانات نیاز است، همچنین برای حفاری حفره جهت ایجاد خازن­های با ظرفیت زیاد مورد استفاده قرار می­گیرند.

اطلاعات فنی دستگاه
نوع کنترلPLC
توان فرکانس رادیویی300 وات برای CCP و 2000 وات برای ICP
اندازه ویفر4 اینچ
فشار فرآیندTorr 0.05-10
میزان خلاءTorr 10-5×1
گازهای فرآیندSF6, C4F8, Ar, O2